专利引证分析之高被引分析
专利引证分析之高被引分析作者：马天旗
文源：专利分析师
1. 高被引专利历年引文频次分析
图1显示了专利US5216275A的历年引文频次，由图中可以看出，从1998年开始，该专利被大量引用，并于2001年达到最大值51，其后随着技术的更新，其引用频次逐年降低，2009年之后，未出现引用该专利的申请。同时，图虚线显示了该领域主要申请人英飞凌公司历年引用该专利的次数，图中可以看出英飞凌从1996年开始引用该专利并逐年增加，1998年开始相对较多的引用该专利，并于2000、2001年达到峰值的8次。
该专利从1993到2009连续17年被后续的专利技术所引用，得到了本领域专利申请人的持续关注，说明此项专利定然包含有开创性的技术贡献。经研究发现，此项专利技术打破传统功率MOSFET理论极限，采用新的耐压层结构，在几乎保持功率MOSFET所有优点的同时，又有着极低的导通损耗。所述耐压层结构为复合缓冲层(CB)及异型岛结构，是一种耐压层上的结构创新，不仅可用于垂直功率MOSFET，还可用于功率IC的关键器件LDMOS等功率半导体器件中，可称为功率半导体器件发展史上的里程碑。长达17年被后续专利技术所引用在半导体领域并不多见，说明其技术生命周期较长，根据技术循环周期的算法，大约8年以后才有下一代技术的出现，而直到约17年后，下一代技术才发展成熟。
图1 专利US5216275A历年引文频次分析
2. 高被引专利引证对象分析
针对引文该高被引专利的申请人进行研究，能够发现已经进入或计划进入该行业的公司，从一个侧面反映该领域的市场竞争情况。对引用US5216275A的专利文献以申请人进行归类得到图2，其中专利公开号后括号内的数字表示该专利被引用的次数，公司名称后括号内的数字表示该公司引用该专利的次数。可以看出，大量公司都在该核心专利周围实施专利布局，多次引用该专利，从而在该专利的基础上产生了大量外围专利，并且出现了许多被引次数较多、质量较高的专利申请，这些公司既包括已经进入市场的英飞凌、意法半导体、飞兆、威世、东芝，也包括将要进入市场的富士。
以英飞凌(共47次引用了该专利)为视角：
首先可以评价自身后续的专利质量如何。经研究发现英飞凌研发了多篇被引频次较高的后续专利申请，这些专利主要集中在明确COOLMOS器件的工艺方案、改善P型柱的特征等，专利质量较高。
其次，可以辨别主要竞争对手。飞兆公司65次引用了该专利，是英飞凌在该领域的主要竞争对手，其布局的专利是准备为与英飞凌的专利纠纷谈判做好准备。而富士(共32次引用了该专利)则先于市场开始专利布局，为即将进入该市场奠定了坚实的基础，因此，富士属于英飞凌的潜在竞争对手，需要给予一定的关注。
图2 引用专利US5216275A的主要申请人分析
3. 后项引证分析
拓展研发思路：英飞凌的专利引用US5216175A的共有20项，如图3所示，英飞凌围绕该核心专利周围设置许多原理相同技术方案不同的专利，形成一个庞大的外围专利网，这些专利申请主要从结构的改进以及工艺的完善两方面入手，结构改进的主要目的是在保证不影响其它性能参数的情况下，尽量降低导通压降，主要的结构改进包括超结形状、位置的变化，以及超结中掺杂浓度的变化，还包括在超结结构中引入电介质层;实现COOLMOS中超结结构的方法主要有多次不同深度离子注入、多层外延以及刻槽工艺。
分析专利布局策略：针对核心专利，英飞凌主要采取的是原理相同技术方案不同的外围专利布局策略，这种缜密的外围专利布局进一步巩固了英飞凌在该领域的市场地位，并用来抵御他人对其专利的进攻并遏止竞争对手技术扩张。事实证明，英飞凌利用对他人核心专利进行针对性外围布局的这一策略为自己赢得市场和技术优势。
图3 英飞凌针对US5216275A的相关外围专利分布图
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